Equipe : Couches Minces et Semiconducteurs

Chef d’équipe : Pr. Mohamed Kechouane

Membres de l’équipe

NomPrénomDernier diplômeGradeStructure de rattachement
KECHOUANEMohamedDoctoratPr.U. STHB
RAHALAblaDoc. d’EtatPr.U. STHB
ZEBBARNaceraDoc. d’EtatPr.U. STHB
SMAIL  TaniaDoc. d’EtatMCAU. STHB
FEDALA   AbdelkrimDoctoratMCBU. STHB
CHERFIRabahDoctoratMCBU. STHB
CHABANE      LamiaDoctoratMCBU. STHB
BENHAGOUGARachada HabibaDoctoratMCBENS-Archit. ex EPAU
SEBA             Hadj YahiaDoctoratMCBU. Ghardaia
TAIBECHEMohamedDoctoratMRBCRNA
TADJINERabahDoctoratMRBCDTA
ALIMMounèsDoctoratMRBCDTA
LAFANESlimaneDoctoratMRBCDTA
BENSOUILAHAminaDoctoratMABU. STHB
SERAICHEMouradDoctoratCRCRNA
BAHFIRAmelDoctoratCRCRTSE
AYATMahaDoctoratCRCRTSE
BOUGHALOUTAbderrahmaneDoctoratCRCRNT
IMMATOUKENEDjamelMagisterCRCRNA
ZOUGGARLyèsMagisterCRCRTSE
SMAALIAssiaMagisterCRCDTA
TATA              SoniaMagisterMAA, Doc.U. STHB
HAMMOUDI   KatiaMagisterMAA, Doc.EPST Alger
BRIGHET       AmerMagisterMAB, Doc.EPST Alger
LAIDOUDI     LamiaMagisterMAB, Doc.ENS-Agro. ex INA
ZEGHTOUFHindMasterDoc.U. STHB
KETROUSSIKhadidjaMasterDoc.U. STHB
BENAZZOUZWafaMasterDoc.U. STHB
BERRIANDjaberMasterDoc.U. STHB
KAIBIAmelDoctoratDoc.U. STHB
LACHEBIInèsMasterDoc.U. STHB

Thèmes mis en oeuvre

L’activité principale l’Equipe est centrée sur les axes suivants : 
❶Elaboration de Silicium et ses alliages en couches minces et en multicouches (a-Si:H, a-SiGe:H, a-SiC:H, a-SiN:H………  pour des applications en photovoltaïque, photonique, capteurs de gaz,…………
❷ Elaboration et caractérisation de couches minces d’oxydes conducteurs transparents (OCT) à base de ZnO et Cu2O en vue d’applications en photovoltaïque, environnementales et dans les 
❸Réalisation de nanostructures à base de silicium et de nanoparticules métalliques

Dans cette activité nous rechercherons les conditions qui nous permettent d’obtenir des multicouches et les possibilités d’applications du matériau et des structures réalisées. Ce travail porte sur les axes suivants : 
• Elaboration et caractérisation du matériau de base a-Si:H, 
• Elaboration d’alliages de silicium • simulation numérique des propriétés volumique du silicium amorphe hydrogéné.
• Elaboration de couches minces de silicium amorphe et polycristallin et des alliages de silicium (nitrure de silicium, silicium-germanium, carbure de silicium) :
-Conductivité, photoconductivité et réponse spectrale, caractérisation électrique et optique du matériau et des dispositifs à semi-conducteurs en couches minces, 
• Simulation numérique spatiale et temporelle du matériau et des dispositifs. 
-Elaboration et caractérisation de couches minces d’oxydes conducteurs transparents (OCT) à base de ZnO et Cu2O. 
-Réalisation de capteurs chimiques et biologiques à base de silicium poreux
– Réalisation de nanostructures à base de silicium.

Les techniques d’élaboration et de caractérisation existantes au sein de l’Equipe se résument à :
• Un bâti de dépôt du silicium et des ses alliages par pulvérisation cathodique assistée d’un magnétron
• Un bâti de dépôt pour le dépôt des couches minces d’OCT
• Un évaporateur par effet Joule
• Techniques de caractérisation électrique utilisées pour l’évaluation de la qualité    des couches ou leur comparaison du point de vue des propriétés électroniques (I-V,
   C-V, 04 pointes, conductivité, photoconductivité,…): 
•  Technique SPV (Surface Photovoltage) sur structures Schottky. 
•  La technique CPM (Constant Photocurrent Method) 
• Spectroscopie d’absorption infrarouge FTIR
• Ellipsométrie spectroscopique